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-FeSi
thin film fabricated on Si and SIMOX substrate by IBSD method志村 憲一郎; 山口 憲司; 笹瀬 雅人*; 山本 博之; 社本 真一; 北條 喜一
Vacuum, 80(7), p.719 - 722, 2006/05
被引用回数：9 パーセンタイル：34.33(Materials Science, Multidisciplinary)イオンビームスパッタ蒸着(IBSD)法により作製した-FeSi薄膜の発光特性に及ぼす、-FeSiの構造や表面組成の影響を調べた。本手法により、あらかじめNe
イオンによりスパッタ洗浄したSi(100)表面上にFeを蒸着させることにより、973Kにて高配向性の-FeSi薄膜を作製した。用いた基板はSi(100)単結晶基板、及び、酸化物絶縁層上に100nm程度のSi(100)層を有するSIMOXと称する基板である。発光測定は、6-300Kの温度範囲で行った。いずれの基板上の-FeSiも6-50Kで0.83eV付近に鮮明な発光ピークを有し、その強度もほぼ同程度であった。しかし、Si(100)基板上に作製した-FeSi薄膜は、1153K,真空中(
10
Torr)でのアニールにより発光強度が劇的に増加したのに対し、SIMOX上で成膜した薄膜の発光強度は、アニールにより逆に減少した。いずれの薄膜もアニールにより大きくその構造が大きく変貌することが透過型電子顕微鏡による断面組織観察により明らかになった。さらに、X線光電子分光法による組成分析によると、SIMOX基板の場合にはシリサイド層直下の酸化物層から酸素が侵入することもわかった。こうした構造上、組成上の変化が観測された発光特性の変化と深く関係していると思われる。
大場 弘則; 小倉 浩一; 西村 昭彦; 柴田 猛順
JAERI-Tech 99-047, 40 Pages, 1999/06
ウラン内にタングステン粒、タングステン円筒、多孔質タングステン円柱を入れて、電子ビーム加熱によりウラン金属を効率良く蒸発させることを試みた。タングステンを入れない液体ウランからの蒸発に比べ、いずれの場合でも蒸発効率が向上することを確認した。また、蒸発試料の断面観察を行った結果、るつぼ内に入れた粒、円筒、多孔質円柱のタングステンは、ともに液体ウラン腐食により原型からは大きく変形又は減肉しており、液体ウランに取り込まれたタングステン粒又は溶解タングステンの析出が見られた。これらのタングステン粒が液体ウランの対流熱伝導を抑制して、蒸発効率を向上させているものと考えられる。
遠藤 慎也; 本岡 隆文; 上原 寛之; 小畑 裕希; 川又 裕; 上野 文義
no journal, ,
東京電力福島第一原子力発電所4号機の使用済燃料プールから取り出された未照射燃料集合体より採取した3種類の部材について、原子力機構において詳細検査を実施した。本報では、光学顕微鏡及びSEM/EPMAによる部材の断面観察の結果について報告する。
本岡 隆文; 鈴木 美穂; 冨田 健; 木村 康彦; 上野 文義
no journal, ,
使用済燃料被覆管への海水成分の移行の有無を調査するため、80
Cの8倍希釈人工海水に300時間浸漬した使用済燃料被覆管の断面をEPMAで観察した。クラッド(鉄さび)層と酸化ジルコニウム層を有する使用済燃料被覆管は、クラッド層に海水成分(Mg, Cl)の付着はあったが、被覆管内部に海水成分は認められなかった。
